Три компании — TSMC, Intel Foundry и Samsung Foundry — одновременно вышли на 2нм класс в конце 2025 года. Samsung начала первой с SF2 (середина 2025), Intel запустил 18A в ноябре на опытных линиях в Орегоне, а TSMC развернул массовое производство N2 в декабре на двух фабриках на Тайване. Дальше пути расходятся.
TSMC придерживается предсказуемого масштабирования. Компания разделила свою дорожную карту на две ветки: высокопроизводительные технологии с BSPDN (backside power delivery network) для вычислений и оптимизированные по стоимости узлы без них. Это позволяет гибко подстраиваться под разные классы приложений.
Samsung сосредоточена на повышении выхода годных. Её дорожная карта выглядит более итеративной, чем прорывной. Компания разрабатывает множество вариантов узлов, но приоритет — стабильность производства, а не радикальные улучшения. Из-за этого Samsung отстаёт с внедрением BSPDN.
Intel выбрал самый амбициозный путь. Компания одновременно внедряет GAA-транзисторы RibbonFET, BSPDN PowerVia, быстрые итерации и High-NA EUV литографию (планирует 2027–2028). Это рискованнее, но потенциально даёт больший прирост производительности. На 18A Intel уже готовит улучшенные версии (18A-P с лучшей энергоэффективностью), а на 14A и 14A-E (2027–2028) обещает второе поколение RibbonFET и PowerDirect BSPDN.
Критическое отличие: Intel разрабатывает технологии прежде всего для собственных процессоров, чтобы вернуть их производство на свои фабрики. TSMC и Samsung работают на универсальный рынок, включая мобильные и автомобильные чипы.