Японские учёные создали квантовую магнитную память быстрее DRAM в 25 раз
Исследователи Токийского университета разработали прототип памяти на антиферромагнетике Mn3Sn, который переключается за 40 пикосекунд с минимальным энергопотреблением и почти без износа. Технология работает как электрическими, так и оптическими сигналами.
