Micron Technology объявила о расширении производства DDR4 на своём предприятии в штате Вирджиния. Компания инвестирует $2 млрд в модернизацию площадки, из них $275 млн поступят из американского бюджета по программе «Закона о чипах». Выпуск памяти на новых линиях начнётся до конца 2025 года.
На заводе будет внедрён техпроцесс 1α, который обеспечивает на 40% большую плотность транзисторов по сравнению с предыдущим поколением 1z. Это позволит создавать ячейки размером менее 15 нм, при этом используя более доступное DUV-оборудование вместо дорогого EUV. Объёмы производства DDR4 и LPDDR4 увеличатся в четыре раза.
Решение о сокращении массового выпуска DDR4 Micron приняла в 2024 году — компания уже отправила последние партии памяти потребительским и серверным клиентам. Дальнейшее производство будет сосредоточено на специализированных сегментах: оборонной промышленности, автомобилестроении, медицинской технике, телекоммуникациях и аэрокосмосе.
Параллельно Micron развивает производство в других штатах. На новых линиях в Нью-Йорке и Айдахо будут выпускать DDR5, LPDDR5 и HBM с использованием техпроцессов 1β и 1γ. В Вирджинии также откроется завод по упаковке HBM-памяти. Всего компания планирует вложить около $200 млрд в расширение американского производства в течение двадцати лет.